瀾起科技在業界率先試產DDR5第三子代RCD芯片

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上海2023年10月27日 /美通社/ — 瀾起科技宣布在業界率先試產DDR5第三子代寄存時鍾驅動器芯片M88DR5RCD03,該芯片應用於DDR5 RDIMM內存模組,旨在進一步提升內存數據訪問的速度及穩定性,滿足新一代服務器平台對容量、帶寬、訪問延遲等內存性能的更高要求。

瀾起科技DDR5第三子代寄存時鍾驅動器

作為國際領先的內存接口芯片供應商,瀾起科技在DDR5內存接口技術上持續精進,不斷推進產品升級迭代。公司新推出的DDR5 RCD03芯片支持高達6400 MT/s的數據速率,相較第二子代提升14.3%,相較第一子代提升33.3%。

與DDR4世代的RCD產品相比,該款芯片采用雙通道架構,支持更高的存儲效率和更低的訪問延時;采用1.1V VDD和1.0V VDDIO電壓及多種節電模式,功耗顯著降低;支持更高密度的DRAM,單模組最大容量可達256GB。

瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示:「我們很榮幸在DDR5 RCD03芯片的研發和試產上均保持行業領先。瀾起將繼續與國際主流CPU和DRAM廠商緊密合作,助力DDR5服務器大規模商用。」

英特爾內存與IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示:「英特爾一直處於DDR5內存技術和生態系統發展的前沿,支持可靠和可擴展的行業標准。我們很高興看到瀾起科技在DDR5最新一代的內存接口芯片上取得了新進展,該芯片可與英特爾下一代E核和P核至強®CPU配合使用,助力CPU釋放強勁性能。」

三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁Yongcheol Bae先生表示:「三星一直致力於最新一代內存產品的研發和應用,以滿足數據密集型應用對內存容量和帶寬迅猛增長的需求。我們期待與瀾起繼續保持穩定的合作,不斷完善DDR5內存產品標准,推進產品迭代和創新。」

除了RCD芯片以外,瀾起科技還提供DDR5數據緩沖器(DB)、串行檢測集線器(SPD Hub)、溫度傳感器(TS)、電源管理芯片(PMIC)等內存接口及模組配套芯片。這些芯片也是DDR5內存模組的重要組件,可配合RCD芯片為DDR5內存模組提供多種必不可少的功能和特性。

供貨信息

瀾起科技現可供貨第一子代、第二子代和第三子代DDR5寄存時鍾驅動器芯片,產品型號為M88DR5RCD01、M88DR5RCD02和M88DR5RCD03。詳情請洽瀾起科技銷售人員,電話:021-54679038;郵箱:[email protected]。 

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